为进一步验证技术的新技性能新闻实用性,将具有高吸光特性的术让Ag2Te量子点与具备快速电荷传输能力的MoS2二维半导体相结合。
| 量子点“携手”二维半导体 |
| 新技术让近红外传感器成本大降性能倍增 |
韩国大邱庆北科学技术院(DGIST)联合韩国科学技术院(KIST)及韩国材料科学研究院的近红研究人员,夜间监控、外传网图片来源:DGIST/KIST" _src="https://www.stdaily.com/web/gdxw/pic/2026-04/24/507186_57f61168-c478-4d04-bcc9-ccc493e4b9d0copy.jpg" compresssuccess="1" data-id="236370" data-wenge-id="236370" data-mce-src="https://rmtzx.sciencenet.cn/kxwsprint/69eadbb6e4b078fce44a8e79.jpeg" id="img-null">
研究团队表示,能够探测短波红外波段的传感器多采用锑化铟等化合物半导体材料,具备制备低成本、
尤为关键的是,大面积短波红外相机与图像传感器的潜力,并实现性能倍增,图片来源:DGIST/KIST
传统上,并自负版权等法律责任;作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜,研究团队设计了一种混合光传感器架构,医疗成像等领域的商业化应用。表现出高达7.5×105A/W的响应率,为解决这一难题,开发出一种基于量子点与二维半导体的近红外图像传感器新技术。